精密计时公司今天推出了其最新一代汽车振荡器，以提高高级驾驶员辅助系统（ADAS）、信息娱乐和车家无线连接的安全性。SiTimeSiT1623/SiT1625汽车级石英晶体振荡器符合严格的AEC-Q100标准，市场规模达1亿美元。
据麦肯锡称 （注1），四大宏观趋势正在推动汽车行业的增长——自动驾驶、互联互通、电气化和共享汽车。到2030年，服务于这些宏观趋势的汽车电气/电子元件和软件市场预计将达到4500亿美元，是整体汽车市场增长的两倍多。
精确计时是所有智能、互联汽车电子产品的心跳，汽车中计时芯片的数量已经增长并将继续增长。SiTime认为，在2018年，车辆使用了多达20个计时芯片。如今，SiTime认为汽车拥有多达60个计时芯片，到2026年这一数字将增长到100个计时芯片。汽车电子产品的计算能力和连接要求预计将超过整体汽车市场的增长。
SiTime晶振精密计时解决方案基于弹性可靠的硅MEMS技术，旨在极端条件下运行，并提供恶劣环境中所需的强大系统性能和稳定性。今天，领先的电动汽车（EV）制造商与SiTime合作，因为SiTime的精确计时解决方案提供了独特的优势。随着这些设备成为汽车中事实上的标准，预计精确计时解决方案将继续得到广泛采用。
Yole集团旗下Yole Intelligence传感和驱动技术和市场分析师Pierre Delbos表示:“这款新一代汽车振荡器是精密计时行业的又一个里程碑。“随着汽车对高频连接的需求不断增长以及硅基振荡器固有的可靠性，我们预计MEMS计时行业将在2021-272年间以35%的CAGR增长。”
SiTime基于MEMS的计时技术以在高温或低温、冲击和振动等恶劣条件下的高性能而闻名。石英晶体SiT1623/SiT1625精密计时器件展示了SiTime在宽温度范围内的可靠性和频率稳定性方面的成熟优势，以及抖动和功耗方面的显著改善。
SiTime通过精确的车内连接计时实现了更高的安全性SiT1623AA-13-18N-25.000000D
“汽车是一个充满活力的市场，电子公司正在自动驾驶、组合仪表和互联领域快速创新。这是SiTime的一个重点市场，我们在这一市场提供了独一无二的卓越耐用性和可靠性。“新的汽车级SiT1623/SiT1625石英晶体振荡器设计用于在极端条件下运行，具有出色的稳定性和抖动，能够通过更高性能的ADAS实现更安全的汽车。精确计时是最新汽车技术的心跳，可确保驾驶员的安全和互联。”SiT1623/SiT1625振荡器为包括SerDes和汽车以太网在内的领先汽车连接协议提供高温、低功耗时序参考。汽车应用需要高速的车内连接，以在汽车中的传感器、显示器和中央计算机之间传输数据。每个都有严格的抖动要求，以确保可靠的ADAS系统性能。新款振荡器在-40℃至+125℃的温度范围内具有出色的抖动性能和50ppm的频率稳定性。扩展温度范围内出色的抖动和稳定性对于可靠的ADAS性能至关重要。
SiT1623/SiT1625汽车振荡器的主要特性，灵活的频率选项：
SiT623：8MHz和50MHz之间的9种常用频率
SiT625：8MHz到100MHz之间的12个常用频率
500和750 fs RMS相位抖动（分别针对SiT1625和SiT1623）
1.5V、1.8V、2.5V和3.3V电源电压
低功耗：SiT1623：1.8V时典型值为1.8mA，SiT1625：1.8V时典型值为2.3mA
1 μA待机电流
AEC-Q100 1级温度范围（-40°C至125°C）
LVCMOS兼容输出
行业标准封装选项：1.6x1.2mm、2.0x1.6mm、2.5x 2.0mm、3.2x2.5mm贴片晶振
符合RoHS和REACH标准，无铅、无卤素和无锑
汽车是最具挑战性的电子环境之一。SiTime汽车振荡器可承受极端温度、气流、冲击、振动和电磁干扰等恶劣环境条件。
汽车创新的核心
驾驶自动化、互联汽车和复杂用户界面的快速发展导致汽车中的传感器和计算以20 TB/小时的速度生成和处理数据。这些功能离不开SiTime的汽车计时设备，可实现汽车系统的高性能计算和高速连接。我们稳健的MEMS时序产品在功能安全方面发挥着至关重要的作用，可在恶劣条件下提供可靠的操作，同时节省功耗和电路板空间。
Device
Frequency
Stability
(ppm)
Output Type
Supply Voltage(V)
Temp. Range(°C)
Package Size(mm)
Device
Frequency
Stability(ppm)
Output Type
Supply Voltage(V)
Temp. Range(°C)
Package Size(mm)
SiT1618
33 standard frequencies
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to +105-40 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT1625
44 standard frequencies
±25 ppm (85ºC)±30 (105ºC)±50 (125ºC)
LVCMOS
1.5 ±10%1.8 ±10%2.5 ±10%3.3 ±10%1.62 to 3.63*1.2 ±5%
-40 to 85 (Gr.3)-40 to 105 (Gr.2)-40 to 125 (Gr.1)
1.6x1.2 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5
SiT2018
1 to 110 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to +105-40 to +125
SOT23 (2.9x2.8)
SiT2019
115 to 137 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to +105-40 to +125
SOT23 (2.9x2.8)
SiT2020
1 to 110 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-55 to +125
SOT23 (2.9x2.8)
SiT2021
119 to 137 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-55 to +125
SOT23 (2.9x2.8)
SiT2024
1 to 110 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to 85 (Gr. 3)-40 to 105 (Gr. 2)-40 to 125 (Gr. 1)-55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1)
SOT23 (2.9x2.8)
SiT2025
115 to 137 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to 85 (Gr. 3)-40 to 105 (Gr. 2)-40 to 125 (Gr. 1)-55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1)
SOT23 (2.9x2.8)
SiT8918
1 to 110 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to +105-40 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8919
115 to 137 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to +105-40 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8920
1 to 110 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-55 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8921
119 to 137 MHz
±20±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-55 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8924
1 to 110 MHz
±20±25±30±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT8925
115 to 137 MHz
±20±25±30±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to +85-40 to +105-40 to +125-55 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0
SiT9025
1 to 150 MHz
±25±50
LVCMOS
1.82.5 to 3.3
-40 to 85 (Gr. 3)-40 to 105 (Gr. 2)-40 to 125 (Gr. 1)-55 to 125 (Ext. Cold Gr. 1)
2.0x1.6mm2.5x2.0mm3.2x2.5mm
SiT9386
1 to 220 MHz
±20±25±50
LVPECLLVDSHCSL
2.52.83.03.3
-40 to 85 (Gr. 3)-40 to 105 (Gr. 2)
3.2x2.57.0x5.0
SiT9387
220 to 725 MHz
±20±25±50
LVPECLLVDSHCSL
2.52.83.03.3
-40 to 85 (Gr. 3)-40 to 105 (Gr. 2)
3.2x2.57.0x5.0
SiT9396
1 to 220 MHz
±25 (105ºC)±30 (125ºC)±50 (125ºC)
LVPECLLVDSHCSLLow-power HCSLFlexSwing
1.82.53.32.25 to 3.631.71 to 3.63
-40 to +85-40 to +105-40 to +125
2.0x1.6 2.5 x 2.0 3.2 x 2.5
SiT9397
220 to 920 MHz
±25 (105ºC)±30 (125ºC)±50 (125ºC)
LVPECLLVDSHCSLLow-power HCSLFlexSwing
1.82.53.32.25 to 3.631.71 to 3.63
-40 to +85-40 to +105-40 to +125
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5
精工晶振,32.768K晶振,SSP-T7-F晶振
精工晶振,石英晶振,SSP-T6晶振
富士晶振,石英晶体振荡器,FCO-120晶振
