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硅晶振MEMS振荡器快速发展给X1G005591027900爱普生晶振带来危机

2022-09-01 17:48:36 康华尔电子

硅晶振MEMS振荡器快速发展给X1G005591027900爱普生晶振带来危机

20世纪5/60年代开始,石英晶体/晶振的出现推动了电子、自动化、通信等的大发展.然而,石英工艺自身的弊端也逐步显现.供货期长达12,产品易碎、抗震/抗冲击力弱、精度随环境变化剧烈、重资产低环保等固疾越来越不能适应21世纪的电子产业发展.SiTimeDisceraSiliconLabs等为代表的MEMS工艺振荡器的出现,彻底改变了传统石英晶体、爱普生晶振产业的固有弊端.时至今日,MEMS振荡器几乎已经开始替代了所有石英产品的应用领域,尤其是在石油、勘探、航海、航天、机车、矿山、基站、监控等恶劣工况下的应用,并在可穿戴等智能硬件领域开始大展拳脚.X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器

爱普生有源晶振编码 型号 频率 长X宽X高 输出波 电源电压 工作温度 频差 最大值
X1G005591008400 SG-8018CE 44.236800MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591008500 SG-8018CE 1.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591008600 SG-8018CE 4.915200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591008700 SG-8018CE 1.843200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591008800 SG-8018CE 33.333000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591008900 SG-8018CE 56.602205MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591009000 SG-8018CE 36.810000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591009200 SG-8018CE 16.384000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591009300 SG-8018CE 19.922944MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591009400 SG-8018CE 1.200000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591009500 SG-8018CE 15.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591027900 SG-8018CE 26.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591009600 SG-8018CE 13.333300MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591009700 SG-8018CE 66.666600MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591009800 SG-8018CE 11.059200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591009900 SG-8018CE 13.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010000 SG-8018CE 13.560000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010100 SG-8018CE 14.318180MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010200 SG-8018CE 18.432000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010300 SG-8018CE 19.200000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010400 SG-8018CE 2.048000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010500 SG-8018CE 3.686400MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010600 SG-8018CE 60.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591010700 SG-8018CE 7.372800MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591010800 SG-8018CE 80.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.9mA

SiTimeCorporation是一家美国模拟半导体公司,致力于用可取代传统石英产品的硅MEMS计时解决方案改变全球50亿美元的计时市场.凭借着85%的市场份额和2013年超过2亿片器件的出货量,SiTime正在推动硅基计时技术在电子工业中的全面普及.

体积更小、全温范围无温漂、高抗震、抗冲击、3225石英晶体振荡器产品一致性好、永不停振

采用国际标准封装,无需更改PCBLayout,可直接改造升级;

终身质保,快速提供样品测试X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器

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MEMS振荡器(硅晶振)采用标准半导体制程,MEMS微机电系统与CMOS技术相结合,彻底改变石英产品稳定性差,频点少,尺寸大,一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货长,并受材料特性限制产能等一系列问题.

MEMS振荡器俗称:硅晶振.是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem)与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,有源晶振彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题.X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器

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