硅晶振MEMS振荡器快速发展给X1G005591027900爱普生晶振带来危机
自20世纪5/60年代开始,石英晶体/晶振的出现推动了电子、自动化、通信等的大发展.然而,石英工艺自身的弊端也逐步显现.供货期长达12周,产品易碎、抗震/抗冲击力弱、精度随环境变化剧烈、重资产低环保等固疾越来越不能适应21世纪的电子产业发展.以SiTime、Discera、SiliconLabs等为代表的MEMS工艺振荡器的出现,彻底改变了传统石英晶体、爱普生晶振产业的固有弊端.时至今日,MEMS振荡器几乎已经开始替代了所有石英产品的应用领域,尤其是在石油、勘探、航海、航天、机车、矿山、基站、监控等恶劣工况下的应用,并在可穿戴等智能硬件领域开始大展拳脚.X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器
爱普生有源晶振编码
型号
频率
长X宽X高
输出波
电源电压
工作温度
频差
最大值
X1G005591008400
SG-8018CE
44.236800MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤4.4mA
X1G005591008500
SG-8018CE
1.000000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591008600
SG-8018CE
4.915200MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591008700
SG-8018CE
1.843200MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591008800
SG-8018CE
33.333000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤4.4mA
X1G005591008900
SG-8018CE
56.602205MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤5.2mA
X1G005591009000
SG-8018CE
36.810000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤4.4mA
X1G005591009200
SG-8018CE
16.384000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591009300
SG-8018CE
19.922944MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591009400
SG-8018CE
1.200000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591009500
SG-8018CE
15.000000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591027900
SG-8018CE
26.000000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤4.4mA
X1G005591009600
SG-8018CE
13.333300MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591009700
SG-8018CE
66.666600MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤5.2mA
X1G005591009800
SG-8018CE
11.059200MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591009900
SG-8018CE
13.000000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010000
SG-8018CE
13.560000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010100
SG-8018CE
14.318180MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010200
SG-8018CE
18.432000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010300
SG-8018CE
19.200000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010400
SG-8018CE
2.048000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010500
SG-8018CE
3.686400MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010600
SG-8018CE
60.000000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤5.2mA
X1G005591010700
SG-8018CE
7.372800MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤3.5mA
X1G005591010800
SG-8018CE
80.000000MHz
3.20x2.50x1.20mm
CMOS
1.620to3.630V
-40to105°C
+/-50ppm
≤5.9mA
SiTimeCorporation是一家美国模拟半导体公司,致力于用可取代传统石英产品的硅MEMS计时解决方案改变全球50亿美元的计时市场.凭借着85%的市场份额和2013年超过2亿片器件的出货量,SiTime正在推动硅基计时技术在电子工业中的全面普及.
体积更小、全温范围无温漂、高抗震、抗冲击、3225石英晶体振荡器产品一致性好、永不停振
采用国际标准封装,无需更改PCBLayout,可直接改造升级;
终身质保,快速提供样品测试X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器
MEMS振荡器(硅晶振)采用标准半导体制程,将MEMS微机电系统与CMOS技术相结合,彻底改变石英产品稳定性差,频点少,尺寸大,一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货长,并受材料特性限制产能等一系列问题.
MEMS振荡器俗称:硅晶振.是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem)与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,有源晶振彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题.X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器