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Q3614CE00007100具有低抖动和低相位噪声的压控晶体振荡器

2022-08-26 14:50:49 康华尔电子

压控晶体振荡器指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO),频率是输入信号电压的函数的振荡器VCO,振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制,就可构成一个压控振荡器

压控晶振是石英晶体振荡器的一种,全称:电压控制晶体振荡器,是一种与晶体谐振器串联插入变容二二极管,根据外部加入的电压使二极管的容量发生变化,来达到输出频率可根据晶体谐振器的负载电容特性变化的晶体振荡器

爱普生晶振VG-4231CE,是一款压控晶体振荡器,小体积石英晶体尺寸3.2x2.5mm有源晶振,CMOS输出,四脚贴片晶振,频率范围3MHz至50MHz,具有超小型,轻薄型,低电源电压,低抖动,低相位噪声,低功耗,低损耗,低耗能,低电平,耐热及耐环境特性等,被广泛用于各种电子产品领域中,质量稳定,品质优越,深受广大客户信赖。

Q3614CE00007100具有低抖动和低相位噪声的压控晶体振荡器

出厂编码 型号 爱普生晶振 尺寸(长宽高) 输出波 电源电压 VC范围
Q3614CE00000600 VG-4231CE 27.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 1.600 to 2.000 V 0.9 +/-0.9V
Q3614CE00001100 VG-4231CE 27.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00001200 VG-4231CE 27.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00001300 VG-4231CE 24.576000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 1.600 to 2.000 V 0.9 +/-0.9V
Q3614CE00002300 VG-4231CE 24.576000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00002400 VG-4231CE 16.384000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00002700 VG-4231CE 17.734475 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00002900 VG-4231CE 24.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00003100 VG-4231CE 36.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00004100 VG-4231CE 25.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00004300 VG-4231CE 32.768000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 2.600 to 3.000 V 1.4 +/-1.4V
Q3614CE00004400 VG-4231CE 25.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS输出晶振 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00004600 VG-4231CE 12.288000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00006000 VG-4231CE 11.289600 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00006100 VG-4231CE 32.768000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
VG-4231CE

石英晶体振荡器是由品质因素极高的石英晶体振子(即谐振器和振荡电路组成。晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等,共同决定振荡器的性能。压控晶体振荡器具有以下特点:

1,低抖动或低相位噪声,由于电路结构、电源噪声以及地噪声等因素的影响,VCXO的输出信号并不是一个理想的方波或正弦波,其输出信号存在一定的抖动, 转换成频域后可以看出信号中心频率附近也会有较大的能量分布,即是所谓的相位噪声。VCXO输出信号的抖动直接影响其他电路的设计,通常希望VCXO的抖动越小越好。

Q3614CE00007100具有低抖动和低相位噪声的压控晶体振荡器

Q3614CE00006200 VG-4231CE 24.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00006600 VG-4231CE 28.636360 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 1.600 to 2.000 V 0.9 +/-0.9V
Q3614CE00007100 VG-4231CE 32.768000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00007200 VG-4231CE 12.288000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00008000 VG-4231CE 16.777216 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00008100 VG-4231CE 12.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00008200 VG-4231CE 24.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 1.600 to 2.000 V 0.9 +/-0.9V
Q3614CE00008300 VG-4231CE 25.165800 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 1.600 to 2.000 V 0.9 +/-0.9V
Q3614CE00009400 VG-4231CE 9.600000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 2.600 to 3.000 V 1.4 +/-1.4V
Q3614CE00009500 VG-4231CE 32.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00009700 VG-4231CE 25.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 1.600 to 2.000 V 0.9 +/-0.9V
Q3614CE00009800 VG-4231CE 13.560000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00009900 VG-4231CE 12.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.05 mm CMOS 3.000 to 3.600 V 1.65 +/-1.65V
Q3614CE00007100具有低抖动和低相位噪声的压控晶体振荡器
2,宽调频范围,VCXO压控晶振的调节范围直接影响着整个系统的频率调节范围,通常随着工艺偏差、温度以及电源电压的变化,VCXO的锁定范围也会随着变化,因此要求VCXO有足够宽的调节范围来保证VCXO的输出频率能够满足设计的要求

3,稳定的增益,VCXO的电压一频率 非线性是产生噪声的主要原因之一,同时,这种非线性也会给电路设计带来不确定性,变化的VCXO增益会影响环路参数,从而影响环路的稳定性。因此希望VCXO的增益变化越小越好。



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