3.072MHz时的超低功耗为60A
超小型1.5毫米x0.8毫米封装
1至26MHz，精确到6位小数
工作温度从-40℃到85℃
频率稳定性低至50ppm
可编程输出驱动强度，实现最佳EMI或驱动多个负载
1.28毫克的超轻重量
符合RoHS和REACH标准，无铅、无卤、无锑

SiT8021支持≤0.7A待机模式，适用于电池供电和其他功率敏感型应用。活动模式和待机模式之间的切换由ST引脚上的逻辑电平控制，

主动模式当ST引脚处于逻辑低电平或悬空时，SiT8021以主动模式工作。在主动模式下，器件使用片内频率合成器从内部MEMS谐振器参考产生输出。输出频率由工厂根据器件订购代码进行编程。

待机模式当ST引脚处于逻辑高电平时，SiT8021以待机模式工作。在待机模式下，除MEMS振荡器电路和ST引脚检测逻辑之外的所有内部电路均关闭，以降低功耗。待机模式下，ST引脚的输入阻抗会增加，以进一步降低系统级功耗。

SiT8021启动时输出禁用。一旦所有内部电路模块都处于活动状态，并且ST引脚上检测到逻辑低电平或浮空，则输出使能。

ST引脚的逻辑高电平迫使SiT8021进入“待机”状态，导致输出禁用。拉低ST引脚后，器件进入“恢复”状态，保持输出禁用。一旦“恢复”状态结束，器件输出使能。启动或恢复后的第一个时钟脉冲精确到额定稳定性。

将振荡器放置在尽可能远离电磁噪声源的地方(例如，高压开关调节器、电机驱动控制)。
将数字数据线或高di/dt电源线等高噪声PCB走线远离SiTime振荡器。
在SiTime振荡器下方放置一个实心GND层，以屏蔽振荡器，使其免受其它电路板层的噪声影响。

禁止超声波或兆频超声波清洁:不要将SiT8021置于超声波或兆频超声波清洁环境中。在这种情况下，设备可能会出现永久性损坏或长期可靠性问题。
将板级底部填充(BLUF)应用于器件是可以接受的，但会导致初始频率容差略微偏移几个ppm。使用UF3810、UF3808和FP4530底层填料进行测试。
根据JESD22-A113D的回流曲线。