T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振

产品简介

T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振,格林雷石英晶振,T1276有源晶振,T1300-T26-3.3-LG-20MHz-E晶振,欧美进口晶振,TCXO晶振,频率38MHz,工作温度-55~95°C,电压3.3V,CMOS输出晶振,抗冲击晶振,耐辐射晶振,高轨道应答器晶振,低轨道卫星(纳米/微型卫星)晶振,射频遥测系统晶振,多波段终端晶振,升频器晶振.

产品详情

T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振,格林雷石英晶振,T1276有源晶振,T1300-T26-3.3-LG-20MHz-E晶振,欧美进口晶振,TCXO晶振,频率38MHz,工作温度-55~95°C,电压3.3V,CMOS输出晶振,抗冲击晶振,耐辐射晶振,高轨道应答器晶振,低轨道卫星(纳米/微型卫星)晶振,射频遥测系统晶振,多波段终端晶振,升频器晶振.

T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振特点：

•200克拉(Si)总电离剂量

•坚固耐用，密封，耐辐射34.8 mm x 20.2 mm 24-PIN DIP封装

•频率:2.5至120MHz

•宽温度范围-55°C至+125°C

•SEL和SET自由至100 MeV cm2/mg

•超低加速灵敏度< 0.07 ppb/g

•3.3 VDC和5 VDC供电

•CMOS或正弦波输出

•MIL-PRF-55310 B级或S级筛选

T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振参数图

规格参数	数值	条件
频率	38MHz	+25°C
频率稳定度	±5ppm	-55°C to +95°C
工作温度	-55°C to +95°C
老化	± 1ppm max	1st year
频率与电压	±0.1ppm max	For a 2% change
电子频率控制	± 10ppm	EFC = 0 to VDD, Positive slope50kΩ input Z
电压	3.3V(VDD）
输入电流	35mA	CMOS
输入电流	35mA	CMOS
负载	50?	CMOS
负载	50?	CMOS
相位噪声(静态)10Hz	-90dBc/Hz
相位噪声(静态)10Hz	-90dBc/Hz
相位噪声(静态)100Hz	-120dBc/Hz
相位噪声(静态)1K	-140dBc/Hz
相位噪声(静态)10KHz	-150dBc/Hz
相位噪声(静态)100KHz	-155dBc/Hz
储存温度	-65°C to+130°C