泰艺晶振,贴片晶振,OC-M晶振,7050mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。.泰艺晶振,贴片晶振,OC-M晶振
项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
2.048-200MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.seikocrystal.com |
H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。智能手机晶振,石英晶体振荡器,OC-M晶振
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的有源晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。智能手机晶振,石英晶体振荡器,OC-M晶振
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。
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泰艺石英晶振公司自公司成立以来,秉持对环境保护承诺之宣言:『还给后代一个干净的地球』,所有活动应遵从以下政策:
1.小体积3225贴片晶振,有源晶振,压控振荡器自设计阶段至成品完成后之服务即应考察该产品对环境产生之冲击,避免使用会造成污染之原物料及制程;对污染之防治应从根源解决问题,以《不产生、不使用》为最高指导原则.
2.若无法避免需产生或使用时,应管制单位产生量及使用量,做持续性7050贴片晶振之追踪管制、改进并制定预防方案或是降低污染量,水电等消耗性(能)资源使用,应从系统研究改善使用效率,以达成节约能源之目标.
3.公司所有活动皆遵循低电流有源晶振环保法规及承诺,作好绿色设计与生产以及污染预防,减少使用危害环境的原物料,积极节约材料资源,降低对整体环境冲击的影响,实施相关预防矫正、持续改善作业,落实与维护环境保护,响应全球环保运动.智能手机晶振,石英晶体振荡器,OC-M晶振
4.藉由环境稽核确认环境改善绩效,使公司所有活动过程均能达成环境目标及标的,并期望透过全体员工共同努力,贡献爱护地球的一份心力.泰艺晶振,贴片晶振,OC-M晶振