Anderson汽车晶振,AE808-T-H-1-5055-3R0-42M000000晶振,无钥匙进入模块晶振
频率:42MHZ
尺寸:3225mm
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Anderson汽车晶振,AE808-T-H-1-5055-3R0-42M000000晶振,无钥匙进入模块晶振
| 案例 AE808 | N | T | 1 | 5055 | 3R0 | 42M000000 |
| 启用 | N | No Connect | ||||
| T | Tri-State | |||||
| 输出 | T | TTL/CMOS | ||||
| H | HCMOS | |||||
| L | LVCMOS | |||||
| 频率稳定度 | 1 | +10 ppm | ||||
| 2 | +20 ppm | |||||
| 3 | +30 ppm | |||||
| 5 | +50 ppm | |||||
| Z | ± Custom | |||||
| 工作温度 | 5055 | -50 to +105°C | ||||
| 4085 | -40 to +85°C | |||||
| 3060 | -30 to +60°C | |||||
| 2070 | -20 to +70°C | |||||
| 电源电压 | 3R3 | +3.3 V | ||||
| 3R0 | +3.0 V | |||||
| 2R5 | +2.5 V | |||||
| 1R8 | +1.8 V | |||||
| 1R5 | +1.5 V | |||||
| 储存温度 | -55°C to +125°C | |||||
| 输入电流 | 5mA maximum (Based on Supply Voltage) | |||||
| 负载电容 | 15pf /10 TTL Gates | |||||
| 占空比 | 40% to 60% (45% to 55% optional) | |||||
| 上升/下降时间 | (10% to 90%) | 15 | nS (maximum) | |||
| 启用时间 | 10 mS maximum | |||||
| 输出电压水平 | High (Minimum) 90 | %Vcc | ||||
| Low (Maximum) 10 | ||||||
Anderson汽车晶振,AE808-T-H-1-5055-3R0-42M000000晶振,无钥匙进入模块晶振
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