EMI 降低时序解决方案

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浏览：- 发布日期：2024-12-24 13:38:29【大中小】

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EMI 是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音，EMI通常由电磁辐射发生源如马达和机器产生。电磁干扰是人们早就发现的电磁现象，它几乎和电磁效应的现象同时被发现。
SiTime晶振的扩频振荡器可以确保您的产品一次性通过 EMI 合规性测试，而无需昂贵的重新测试、重新设计或使用机械屏蔽。

用于降低 EMI 的可编程性 – 降低高达 30 dBm
SiTime 的扩频振荡器通过结合扩频类型、振幅、调制技术、输出电压摆幅和转换速率的可编程性，提供了最大的灵活性。
这些解决方案解决了 EMI 问题，而不会影响石英晶体振荡器的性能。而且，它们通过确保排放合规性来加快创收时间，而无需昂贵的重新测试、有问题的重新设计或昂贵的重新包装。
借助各种可用功能 - 全部集成在一个小型设备中 - 设计人员可以快速轻松地实现排放合规性。

通过使用 SiTime可编程晶振 MEMS 时序解决方案，系统设计人员可以在不改变 PCB 布局或使用机械屏蔽的情况下实现辐射合规性。这些器件通过扩频时钟或使用 FlexEdge™ 功能，或两者的组合来降低 EMI。通过使用 SiTime 的 Time Machine II 编程器，设计人员可以在实验室中对 EMI 降低振荡器进行编程，并试验不同级别和的 EMI 降低技术，以实现 EMI 和系统性能的最佳平衡。

SiTime 的扩频振荡器

装置	点差类型和范围	调制类型	上升/下降时间（Slew Rate）	输出类型	频率范围	封装(mm)
SiT9005	中心：最大 ±2% 下降：最大 ±-4%	三角形，Hershey-Kiss	8 个选项， 0.25 至 40 ns	LVCMOS	1 至 141 MHz	2.0x1.6、2.5x2.0、3.2x2.5
Si9025 （AEC-Q100）	中心：最大 ±2% 下降：最大 ±-4%	三角形、Hershey-Kiss、Random	8 个选项， 0.25 至 40 ns	LVCMOS	1 至 150 MHz	2.0x1.6、2.5x2.0、3.2x2.5
SiT99045 （MIL 测试）	中心：最大 ±2% 下降：最大 ±-4%	三角形、Hershey-Kiss、Random	8 个选项， 0.25 至 40 ns	LVCMOS	1 至 150 MHz	2.0x1.6、2.5x2.0、3.2x2.5
SiT9003	中心：±0.5% mx 下：最大 ±-1%	三角形	4 个选项， 0.6 至 12.1 ns	LVCMOS	1 至 110 MHz	5.0x3.2、7.0x5.0
SiT9002	中心：最大 ±2% 下降：最大 ±-4%	三角形	2 个摆动选项	微分	1 至 220 MHz	5.0x3.2、7.0x5.0

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