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硅晶振MEMS振荡器快速发展给X1G005591027900爱普生晶振带来危机

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浏览：- 发布日期：2022-09-01 17:48:36【大中小】

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硅晶振MEMS振荡器快速发展给X1G005591027900爱普生晶振带来危机

自20世纪5/60年代开始,石英晶体/晶振的出现推动了电子、自动化、通信等的大发展.然而,石英工艺自身的弊端也逐步显现.供货期长达12周,产品易碎、抗震/抗冲击力弱、精度随环境变化剧烈、重资产低环保等固疾越来越不能适应21世纪的电子产业发展.以SiTime、Discera、SiliconLabs等为代表的MEMS工艺振荡器的出现,彻底改变了传统石英晶体、爱普生晶振产业的固有弊端.时至今日,MEMS振荡器几乎已经开始替代了所有石英产品的应用领域,尤其是在石油、勘探、航海、航天、机车、矿山、基站、监控等恶劣工况下的应用,并在可穿戴等智能硬件领域开始大展拳脚.X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器

爱普生有源晶振编码	型号	频率	长X宽X高	输出波	电源电压	工作温度	频差	最大值
X1G005591008400	SG-8018CE	44.236800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008500	SG-8018CE	1.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008600	SG-8018CE	4.915200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008700	SG-8018CE	1.843200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008800	SG-8018CE	33.333000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008900	SG-8018CE	56.602205 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591009000	SG-8018CE	36.810000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591009200	SG-8018CE	16.384000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009300	SG-8018CE	19.922944 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009400	SG-8018CE	1.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009500	SG-8018CE	15.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591027900	SG-8018CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591009600	SG-8018CE	13.333300 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009700	SG-8018CE	66.666600 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591009800	SG-8018CE	11.059200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591009900	SG-8018CE	13.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010000	SG-8018CE	13.560000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010100	SG-8018CE	14.318180 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010200	SG-8018CE	18.432000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010300	SG-8018CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010400	SG-8018CE	2.048000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010500	SG-8018CE	3.686400 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010600	SG-8018CE	60.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591010700	SG-8018CE	7.372800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591010800	SG-8018CE	80.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA

SiTime Corporation是一家美国模拟半导体公司,致力于用可取代传统石英产品的硅MEMS计时解决方案改变全球50亿美元的计时市场.凭借着85%的市场份额和2013年超过2亿片器件的出货量,SiTime正在推动硅基计时技术在电子工业中的全面普及.

体积更小、全温范围无温漂、高抗震、抗冲击、3225石英晶体振荡器产品一致性好、永不停振

采用国际标准封装,无需更改PCBLayout,可直接改造升级;

终身质保,快速提供样品测试X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器

MEMS振荡器（硅晶振）采用标准半导体制程,将MEMS微机电系统与CMOS技术相结合,彻底改变石英产品稳定性差,频点少,尺寸大,一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货长,并受材料特性限制产能等一系列问题.

MEMS振荡器俗称：硅晶振.是一种采用半导体标准半导体工艺制程,将先进的MEMS微机电系统（Micro-Electro-MechanicalSystem）与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件,有源晶振彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高,频率有限,尺寸较大,品质一致性差,易停振、不起振、温漂大、备货时间长,并且受材料特性限制产能等一系列问题.X1G005591027900爱普生晶振,硅晶振MEMS振荡器

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