温补晶振TG5032SGN编码X1G005241000800专用于无线通信设备应用
温补晶振TG5032SGN编码X1G005241000800专用于无线通信设备应用
产品编码 | 型号 | 频率 | 尺寸 | 输出波 | 电源电压 | 精度 |
X1G005241000200 | TG5032SGN | 19.200000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241000300 | TG5032SGN | 25.000000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241000400 | TG5032SGN | 40.000000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241000700 | TG5032SGN | 10.000000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241000800 | TG5032SGN | 26.000000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241000900 | TG5032SGN | 19.200000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | 温补晶振 | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241001000 | TG5032SGN | 19.200000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 2.700 to 3.000 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241001200 | TG5032SGN | 19.200000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 2.700 to 3.000 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241001300 | TG5032SGN | 40.000000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241001400 | TG5032SGN | 10.000000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
X1G005241001500 | TG5032SGN | 26.000000MHz | 5.00x3.20x1.45mm | Clipped sine wave | 3.135 to 3.465 V | +/-1.0 ppm |
温补晶振TG5032SGN编码X1G005241000800专用于无线通信设备应用
特征:
超高稳定性(< 0.1x10-6)
低相位噪声
频率范围:10兆赫至40兆赫
输出:CMOS,限幅正弦波
电源电压:2.375至3.63V
外形尺寸:5.0x3.2x1.45mm贴片晶振
小型包装(10脚)
无铅,符合欧盟RoHS指令。
应用程序:小基站,地层3,毫微微蜂窝,网络系统等..
削波正玄波(Clipped Sine Wave)是有源晶振输出方式的一种,相比方波的谐波分量少很多,但驱动能力较弱,在负载10K/10PF时Vp-p为0.8Vmin.通常为SMD7050,SMD5032,SMD3225等封装的表贴温补晶振使用的输出波形.当然,有源晶振还有CMOS,TTL,ECL,LVDS,正玄波等输出方式,这些输出逻辑方式也各有优缺点,至于如何利用它们我们却是不得而知.所以日本爱普生晶振就推出了相关的技术支持文档,明确指出应当如何在电路设计中应用削顶正玄波.
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