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IDT晶振,有源晶振,XLP晶振
IDT晶振,有源晶振,XLP晶振
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
频率:0.750~1350 MHz   尺寸:5.0×3.2mm
IDT晶振,5032晶振,XLH晶振
IDT晶振,5032晶振,XLH晶振
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
频率:0.750~250 MHz   尺寸:5.0×3.2mm
IDT晶振,5070晶振,8N4S270晶振
IDT晶振,5070晶振,8N4S270晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率:15.476~1300MHz   尺寸:5.0×7.0mm
IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振
IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率:15.476~1300MHz   尺寸:5.0×7.0mm
IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振
IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

频率:15.476~1300MHz   尺寸:5.0×7.0mm
IDT晶振,OSC晶振,8N3S270晶振
IDT晶振,OSC晶振,8N3S270晶振

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

频率:15.476~1300MHz   尺寸:5.0×7.0mm
IDT晶振,VCXO晶振,8N3QV01晶振
IDT晶振,VCXO晶振,8N3QV01晶振

压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅。

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频率:15.476~1300MHz   尺寸:5.0×7.0mm
IDT晶振,石英晶体振荡器,8N3D085晶振
IDT晶振,石英晶体振荡器,8N3D085晶振

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要

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频率:15.476~1300MHz   尺寸:5.0×7.0mm
IDT晶振,有源晶振,8N0QV01晶振
IDT晶振,有源晶振,8N0QV01晶振

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

频率:15.476~260MHz   尺寸:5.0×7.0mm
Sitime晶振,有源晶振,SiT8021晶振
Sitime晶振,有源晶振,SiT8021晶振

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.由于石英设备针对特定的参数进行了优化,因此无法提供基于内存的解决方案提供的组合性能和特性.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率:1~26MHZ   尺寸:1.5×0.8mm
Sitime晶振,有源晶振,SiT9001晶振
Sitime晶振,有源晶振,SiT9001晶振

可编程频率:SiTime振荡器提供在操作范围内的任何频率,最高可达6个小数点.通过定制频率,设计人员可以提高系统性能(微处理器/ FPGA应用程序)并减少误码率(以太网应用程序).样品自定义并在一周内交货;生产数量在3 - 5周内有效

频率:1~200MHZ   尺寸:2520,3225,5032,5070mm
Sitime晶振,压控晶振,SiT3372晶振
Sitime晶振,压控晶振,SiT3372晶振

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率:10~220MHZ   尺寸:3225mm,5070mm
Sitime晶振,压控温补晶振,SiT5000晶振
Sitime晶振,压控温补晶振,SiT5000晶振

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

频率:10~40MHZ   尺寸:2520,3225,5032,5070
Sitime晶振,贴片晶振,SiT3907晶振
Sitime晶振,贴片晶振,SiT3907晶振
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
频率:1~220MHZ   尺寸:3.2×2.5mm
Sitime晶振,贴片晶振,SiT1602晶振
Sitime晶振,贴片晶振,SiT1602晶振
与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.
频率:3.75~77.76MHz   尺寸:2016mm,2520mm,3225mm,5032mm,5070mm
Sitime晶振,OSC晶振,SiT1533晶振
Sitime晶振,OSC晶振,SiT1533晶振
与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.
频率:32.768KHZ   尺寸:2.0×1.2mm
Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振
Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振
SiTime产品可在各种操作温度范围内使用.这些广泛的温度范围,结合SiTime固有的健壮和高度可靠的设计,确保设备非常适合应用程序环境,并以最低的成本可用.SiTime的高温家庭提供了频率、稳定性和小包装尺寸的最佳组合——这是普通石英贴片晶振,石英晶体供应商无法提供的组合.
频率:32.768KHZ   尺寸:1.5×0.8mm
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