低电压晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,进口温补晶振

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低电压晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,进口温补晶振

频率：16.368MHz

尺寸：2.5*2.0mm

低电压晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,进口温补晶振 日本KDS大真空品牌的DSB221SDN是一款小体积的2520石英晶振，高精度表面贴装，是有源晶振分类里的TCXO晶振，也叫温度补偿振荡器，1XXB16368MAA具有超小型，轻薄型，低电源电压，低相位噪声，单体结构等特点，多用于一些比较高端的数码通讯产品领域，GPS全球定位系统、智能手机、WiMAX和蜂窝和无线通信等产品，符合RoHS/无铅。

订购热线：0755-27838351

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日本KDS大真空品牌的DSB221SDN是一款小体积的2520石英晶振，高精度表面贴装，是有源晶振分类里的TCXO晶振，也叫温度补偿振荡器，1XXB16368MAA具有超小型，轻薄型，低电源电压，低相位噪声，单体结构等特点，多用于一些比较高端的数码通讯产品领域，GPS全球定位系统、智能手机、WiMAX和蜂窝和无线通信等产品，符合RoHS/无铅。

日本KDS晶振，KDS即是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP），成立于1951年，已有50多年的历史。是全球领先的三大晶振制造商之一。日本KDS晶振制造工场主要分布在日本本土、中国大陆、中国台湾、泰国、印度尼西亚等十个制造中心。其中天津工场是全球晶振行业最大的单体制造工厂。也是全球最大的TF型（主要是32.768K晶振）晶振制造工厂。

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类型	DSB221SDN （TCXO）
频率范围	9.6 至 52MHz
标准频率	16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
电源电压范围	+1.68 to +3.5V
电源电压（VCC)	+1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
电流消耗	+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26<f≦52MHz)
输出电平	0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled)
输出负载	10kΩ//10pF
频率稳定性	±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C ±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
启动时间	最大 2.0ms
包装单位	3000 个/卷（Φ180）

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热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
石英晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,石英晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种贴片石英晶振,其内部晶片都是贴片晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建议使用有源贴片晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐高温晶振产品甚至晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

精工富士晶振-康华尔正规渠道指定供应商

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KDS晶振 TCXO温补晶振 2520贴片晶振 1XXB16368MAA DSB221SDN

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