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KDS晶振,有源晶振,DSA222MAA晶振,DSB222MAA晶振
KDS晶振,有源晶振,DSA222MAA晶振,DSB222MAA晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
频率:13~52MHZ   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,有源晶振,DSB221SLB晶振
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小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:9.6~40MHZ   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,有源晶振,DSA221SJ晶振,DSB221SJ晶振
KDS晶振,有源晶振,DSA221SJ晶振,DSB221SJ晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:10~40MHZ   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,温补晶振,DSB221SDT晶振
KDS晶振,温补晶振,DSB221SDT晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:9.6~52MHz   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SDM晶振
KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SDM晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:9.6~52MHz   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SDB晶振
KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SDB晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:9.6~52MHz   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,有源晶振,DSB221SCM晶振
KDS晶振,有源晶振,DSB221SCM晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:9.6~52MHz   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,贴片晶振,DSB221SCB晶振
KDS晶振,贴片晶振,DSB221SCB晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:9.6~52MHz   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,贴片晶振,DSB211SLB晶振
KDS晶振,贴片晶振,DSB211SLB晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:12.288~40MHz   尺寸:2.0×1.6mm
KDS晶振,温补晶振,DSA211SDT晶振,DSB211SDT晶振
KDS晶振,温补晶振,DSA211SDT晶振,DSB211SDT晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
频率:12.288~52MHz   尺寸:2.0×1.6mm
KDS晶振,温补晶振,DSA211SDM晶振,DSB211SDM晶振
KDS晶振,温补晶振,DSA211SDM晶振,DSB211SDM晶振
2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
频率:12.288~52MHz   尺寸:2.0×1.6mm
KDS晶振,有源晶振,DSB211SCM晶振
KDS晶振,有源晶振,DSB211SCM晶振
2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
频率:12.288~52MHz   尺寸:2.0×1.6mm
KDS晶振,有源晶振,DSS753SVD晶振
KDS晶振,有源晶振,DSS753SVD晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
频率:12~168MHz   尺寸:7.3×4.9mm
KDS晶振,有源晶振,DSS753SVC晶振
KDS晶振,有源晶振,DSS753SVC晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
频率:12~168MHz   尺寸:7.3×4.9mm
KDS晶振,1612晶振,DSO1612AR晶振
KDS晶振,1612晶振,DSO1612AR晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
频率:0.584375~80MHZ   尺寸:1.6×1.2mm
KDS晶振,OSC晶振,DSO753SD晶振
KDS晶振,OSC晶振,DSO753SD晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
频率:13.5~212.5MHZ   尺寸:7.3×4.9mm
KDS晶振,OSC晶振,DSO753SJ晶振
KDS晶振,OSC晶振,DSO753SJ晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
频率:13.5~212.5MHZ   尺寸:7.3×4.9mm
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