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微晶晶振,有源晶振,RV-1805-C3晶振
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.更多 +
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KDS晶振,贴片晶振,DSG211STA晶振
2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品更多 +
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KDS晶振,有源晶振,DSA222MAA晶振,DSB222MAA晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,有源晶振,DSS753SVD晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,有源晶振,DSS753SVC晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,1612晶振,DSO1612AR晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,OSC晶振,DSO753SD晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,OSC晶振,DSO753SJ晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,2520晶振,DSO221SR晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,石英晶振,DSO221SN晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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Pletronics晶振,5032晶振,PE55K晶振
有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内更多 +
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