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KDS晶振,石英晶振,DSO221SN晶振
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一更多 +
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KDS晶振,贴片晶振,DSO221SH晶振
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.更多 +
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KDS晶振,OSC晶振,DSO221SBM晶振
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.更多 +
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Pletronics晶振,2520晶振,SM33T晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..更多 +
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Pletronics晶振,5032晶振,PE55K晶振
有源石英晶振，无论是温补晶体也好，压控晶振也罢，产品均采用了，离子刻蚀调频技术，比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内更多 +
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Pletronics晶振,3225晶振,PE44F/PE44G晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术，晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内，确保TCXO晶体产品精度，稳定性能良好发挥功能。更多 +
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Pletronics晶振,TCXO晶振,NCE4晶振
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术，晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内，确保TCXO晶体产品精度，稳定性能良好发挥功能。更多 +
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Statek晶振,有源晶振,CXOMK晶振
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。更多 +
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IDT晶振,5070晶振,8N4S270晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.更多 +
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IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.更多 +
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富士晶振,2520贴片有源晶振,FSX-2M晶振
更多 +小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
- [晶振行业]Abracon可编程晶振编码2018年11月16日 16:25
ASDMB-24.000MHZ-LC-T可编程晶振ASVMPLV-148.500MHZ-LR-T高性能晶振ASDMB-24.576MHZ-LC-T有源晶体振荡器ASEMPLP-212.500MHZ-LR-T美国晶振ASDMB-27.000MHZ-LC-TMEMS晶振ASTMLPD-18-25.000MHZ-LJ-E-T耐高温晶振ASDMB-8.000MHZ-LC-T可编程振荡器ASTMUPCD-33-16.000MHZ-LJ-E-T高端晶振ASDMB-25.000MHZ-LC-T艾博康晶振ASTMUPCD-33-19.200MHZ-LJ-E-T美国进口晶振ASDMB-16.000MHZ-LC-T晶振ASTMUPCD-33-24.000MHZ-LJ-E-T进口Abracon晶振ASDMB-50.000MHZ-LC-T有源晶振ASTMUPCD-33-25.000MHZ-LJ-E-T可编程晶振ASDMB-10.000MHZ-LC-T进口晶振ASTMUPCD-33-26.000MHZ-LJ-E-T有源晶体振荡器ASDMB-48.000MHZ-LC-T欧美晶振ASTMUPCD-33-33.333MHZ-LJ-E-TMEMS晶振ASDMB-12.000MHZ-LC-T贴片有源晶振ASTMUPCE-33-25.000MHZ-LJ-E-T可编程振荡器ASEMB-50.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ASTMUPCE-33-50.000MHZ-LJ-E-T艾博康晶振ASEMB-8.000MHZ-LC-TMEMS可编程晶振ASTMHTA-24.576MHZ-AJ-E晶振ASEMB-25.000MHZ-LC-T高性能晶振ASTMHTA-100.000MHZ-AJ-E有源晶振ASFLMB-50.000MHZ-LC-T美国晶振ASTMHTE-24.000MHZ-AJ-E进口晶振ASFLMB-25.000MHZ-LC-T耐高温晶振ASTMHTD-25.000MHZ-AJ-E欧美晶振ASFLMB-24.000MHZ-LC-T高端晶振ASTMHTD-24.000MHZ-AJ-E贴片有源晶振ASDM1-25.000MHZ-LC-T美国进口晶振ASTMHTA-27.000MHZ-AJ-E进口SMD晶振ASEM1-50.000MHZ-LC-T进口Abracon晶振ASTMHTE-48.000MHZ-AJ-EMEMS可编程晶振ASDMB-25.000MHZ-LR-T可编程晶振ASTMHTA-48.000MHZ-AJ-E高性能晶振ASEM1-24.000MHZ-LC-T有源晶体振荡器ASTMHTE-24.576MHZ-AJ-E美国晶振ASEM1-12.000MHZ-LC-TMEMS晶振ASTMHTD-50.000MHZ-AJ-E耐高温晶振ASEM1-100.000MHZ-LC-T可编程振荡器ASTMHTD-8.000MHZ-AJ-E高端晶振ASEM1-25.000MHZ-LC-T艾博康晶振ASTMHTD-27.000MHZ-AJ-E美国进口晶振ASFLMPHC-100.000MHZ-LR-T晶振ASTMHTE-8.000MHZ-AJ-E进口Abracon晶振ASFLMB-25.000MHZ-LR-T有源晶振ASTMHTE-25.000MHZ-AJ-E可编程晶振ASDM1-27.000MHZ-LC-T进口晶振ASTMHTE-27.000MHZ-AJ-E有源晶体振荡器ASDM1-50.000MHZ-LC-T欧美晶振ASTMHTD-48.000MHZ-AJ-EMEMS晶振ASDMB-26.000MHZ-LY-T贴片有源晶振ASTMHTE-50.000MHZ-AJ-E可编程振荡器ASFLMB-25.000MHZ-LY-T进口SMD晶振ASTMHTE-100.000MHZ-AJ-E艾博康晶振ASDMB-27.000MHZ-XY-TMEMS可编程晶振ASTMHTA-50.000MHZ-AJ-E晶振ASDMB-24.000MHZ-XY-T高性能晶振ASTMHTA-8.000MHZ-ZJ-E有源晶振ASEMB-26.000MHZ-LY-T美国晶振ASTMHTE-50.000MHZ-ZJ-E进口晶振ASEMB-19.200MHZ-LY-T耐高温晶振ASTMHTA-100.000MHZ-ZJ-E欧美晶振ASEMB-25.000MHZ-LY-T高端晶振ASTMHTE-25.000MHZ-ZJ-E贴片有源晶振ASDMB-33.333MHZ-LY-T美国进口晶振ASTMHTA-27.000MHZ-ZJ-E进口SMD晶振ASDMB-19.200MHZ-LY-T进口Abracon晶振ASTMHTD-27.000MHZ-ZJ-EMEMS可编程晶振ASDMB-25.000MHZ-LY-T可编程晶振ASTMHTD-48.000MHZ-ZJ-E高性能晶振ASDMB-50.000MHZ-LY-T有源晶体振荡器ASTMHTD-8.000MHZ-ZJ-E美国晶振ASDMB-12.000MHZ-LY-TMEMS晶振ASTMHTE-27.000MHZ-ZJ-E耐高温晶振ASDMB-24.000MHZ-LY-T可编程振荡器ASTMHTE-48.000MHZ-ZJ-E高端晶振ASFLMB-120.000MHZ-LY-T艾博康晶振ASTMHTE-100.000MHZ-ZJ-E美国进口晶振ASEMB-24.000MHZ-XY-T晶振ASTMHTD-24.000MHZ-ZJ-E进口Abracon晶振ASEMB-16.000MHZ-XY-T有源晶振ASTMHTE-24.576MHZ-ZJ-E可编程晶振ASDMB-20.000MHZ-XY-T进口晶振ASTMHTD-50.000MHZ-ZJ-E有源晶体振荡器ASDMB-25.000MHZ-XY-T欧美晶振ASTMHTD-100.000MHZ-ZJ-EMEMS晶振ASDMB-33.333MHZ-XY-T贴片有源晶振ASTMHTA-24.576MHZ-ZJ-E可编程振荡器ASDMB-125.000MHZ-XY-T进口SMD晶振ASTMHTA-48.000MHZ-ZJ-E艾博康晶振ASEMPLV-100.000MHZ-LR-TMEMS可编程晶振ASTMHTD-24.576MHZ-ZJ-E晶振ASEMPLV-148.500MHZ-LR-T高性能晶振ASTMHTD-25.000MHZ-ZJ-E有源晶振ASFLMPLV-148.500MHZ-LR-T美国晶振ASTMHTE-8.000MHZ-ZJ-E进口晶振ASFLMPLV-100.000MHZ-LR-T耐高温晶振ASTMHTE-24.000MHZ-ZJ-E欧美晶振ASDMPLV-200.000MHZ-LR-T高端晶振ASTMHTA-25.000MHZ-ZJ-E贴片有源晶振ASDMB-3.6864MHZ-LC-T美国进口晶振ASEMB-27.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ASEMB-14.7456MHZ-LC-T进口Abracon晶振ASEMB-1.8432MHZ-LC-TMEMS可编程晶振ASEMB-16.000MHZ-LC-T可编程晶振ASEMB-12.000MHZ-LC-T高性能晶振ASEMB-24.576MHZ-LC-T有源晶体振荡器ASEMB-32.000MHZ-LC-T美国晶振ASEMB-20.000MHZ-LC-TMEMS晶振ASEMB-33.000MHZ-LC-T耐高温晶振ASFLMB-12.288MHZ-LC-T可编程振荡器ASDM1-60.000MHZ-LC-T高端晶振ASFLMB-12.000MHZ-LC-T艾博康晶振ASFLMB-24.576MHZ-LC-T美国进口晶振ASEM1-8.000MHZ-LC-T晶振ASFLMB-1.8432MHZ-LC-T进口Abracon晶振ASTMKH-32.768KHZ-LQ-DCC-T有源晶振ASFLMB-8.000MHZ-LC-T可编程晶振ASEMB-74.250MHZ-LR-T进口晶振ASFLMB-60.000MHZ-LC-T有源晶体振荡器ASFLMB-12.288MHZ-LR-T欧美晶振ASFLMB-33.000MHZ-LC-TMEMS晶振ASDM1-20.000MHZ-LC-T贴片有源晶振ASFLMB-40.000MHZ-LC-T可编程振荡器ASFLMB-33.333MHZ-LY-T进口SMD晶振ASDMB-20.000MHZ-LC-T艾博康晶振ASEMB-8.000MHZ-LY-TMEMS可编程晶振ASDMB-32.000MHZ-LC-T晶振ASFLMB-100.000MHZ-LR-T高性能晶振ASDMB-26.000MHZ-LC-T有源晶振ASFLMB-125.000MHZ-LR-T美国晶振ASDMB-4.000MHZ-LC-T进口晶振ASDMB-16.000MHZ-LY-T耐高温晶振ASDMB-30.000MHZ-LC-T欧美晶振ASEMPC-40.000MHZ-XR-T高端晶振ASFLM1-40.000MHZ-T贴片有源晶振ASDMB-150.000MHZ-LY-T美国进口晶振ASDMB-27.000MHZ-EC-T进口SMD晶振ASDMB-48.000MHZ-XY-T进口Abracon晶振ASDMPC-10.000MHZ-LR-TMEMS可编程晶振ASDMB-19.200MHZ-XY-T可编程晶振ASEM1-16.000MHZ-LC-T高性能晶振ASDMB-8.000MHZ-XY-T有源晶体振荡器ASTMKH-32.768KHZ-MP-D14-T3美国晶振ASFLMB-100.000MHZ-XY-TMEMS晶振ASTMKH-32.768KHZ-LQ-D26-T耐高温晶振ASEMB-80.000MHZ-XY-T可编程振荡器ASFLM1-3.6864MHZ-C-T高端晶振ASFLMPC-50.000MHZ-Z-T艾博康晶振ASFLM1-4.000MHZ-C-T美国进口晶振ASTMTXK-32.768KHZ-NG-T晶振ASFLM1-33.333MHZ-C-T进口Abracon晶振ASFLMPLV-100.000MHZ-LC-T有源晶振ASFLM1-11.0592MHZ-C-T可编程晶振ASTMHTD-100.000MHZ-AJ-E进口晶振ASFLM1-30.000MHZ-C-T有源晶体振荡器ASTMHTA-8.000MHZ-AJ-E欧美晶振ASFLM1-18.432MHZ-C-TMEMS晶振ASFLMB-10.000MHZ-LC-T贴片有源晶振ASFLM1-1.8432MHZ-C-T可编程振荡器ASDMB-12.000MHZ-EC-T进口SMD晶振ASFLM1-32.000MHZ-C-T艾博康晶振ASDMB-24.000MHZ-EC-TMEMS可编程晶振ASDMB-25.000MHZ-T晶振ASFLM1-8.000MHZ-C-T高性能晶振ASTMLPE-18-27.000MHZ-LJ-E-T有源晶振ASEM1-10.000MHZ-LC-T美国晶振ASTMLPD-100.000MHZ-LJ-E-T进口晶振ASFLMB-14.7456MHZ-LR-T耐高温晶振ASTMLPD-25.000MHZ-LJ-E-T欧美晶振ASFLMB-40.000MHZ-LR-T高端晶振ASVMPC-25.000MHZ-Z-T贴片有源晶振ASDMB-54.000MHZ-EC-T美国进口晶振ASEM4-26.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ASEMB-24.576MHZ-XY-T进口Abracon晶振ASDM1-64.000MHZ-LC-TMEMS可编程晶振ASFLMB-120.000MHZ-XY-T可编程晶振ASTMKJ-32.768KHZ-MP-DCC-T高性能晶振ASEMB-125.000MHZ-XY-T有源晶体振荡器ASTMKJ-32.768KHZ-LQ-DCC-T美国晶振ASVMB-100.000MHZ-XY-TMEMS晶振ASTMKJ-32.768KHZ-LQ-D26-T耐高温晶振ASFLMPC-10.000MHZ-Z-T可编程振荡器ASTMLPA-25.000MHZ-EJ-E-T高端晶振ASFLMPC-24.576MHZ-Z-T艾博康晶振ASVMB-20.000MHZ-LC-T美国进口晶振ASFLMPC-48.000MHZ-Z-T晶振ASDMB-5.000MHZ-LC-T进口Abracon晶振ASEMPC-24.000MHZ-Z-T有源晶振ASVMB-40.000MHZ-LR-T可编程晶振ASDMPLP-125.000MHZ-LR-T3进口晶振ASEM1-30.000MHZ-LC-T有源晶体振荡器ASEMPLP-150.000MHZ-LR-T欧美晶振ASEM1-60.000MHZ-LC-TMEMS晶振ASVMPLV-156.250MHZ-LR-T贴片有源晶振ASEM1-24.576MHZ-LC-T可编程振荡器ASFLMB-32.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ASEM1-27.000MHZ-LC-T艾博康晶振ASFLMB-48.000MHZ-EC-TMEMS可编程晶振ASEM1-14.7456MHZ-LC-T晶振ASEM1-1.8432MHZ-LC-T高性能晶振ASEM1-29.4912MHZ-LC-T有源晶振ASDM1-14.31818MHZ-LC-T美国晶振ASEM1-11.0592MHZ-LC-T进口晶振ASFLMB-106.250MHZ-LR-T耐高温晶振ASEM1-20.000MHZ-LC-T欧美晶振ASFLMB-4.000MHZ-XY-T高端晶振ASEM1-14.31818MHZ-LC-T贴片有源晶振ASVMPC-125.000MHZ-EC-T美国进口晶振ASEM1-18.432MHZ-LC-T进口SMD晶振ASVMB-150.000MHZ-LY-T进口Abracon晶振ASTMLPA-18-16.000MHZ-LJ-E-TMEMS可编程晶振ASVMB-106.250MHZ-LY-T可编程晶振ASDMB-50.000MHZ-40-T高性能晶振ASVMB-125.000MHZ-LY-T有源晶体振荡器ASDMB-20.000MHZ-40-T美国晶振ASEMB-150.000MHZ-XY-TMEMS晶振ASFLMB-14.31818MHZ-LR-T耐高温晶振ASVMB-133.333MHZ-XY-T可编程振荡器ASFLMB-1.8432MHZ-LR-T高端晶振ASDMB-133.333MHZ-XY-T艾博康晶振ASFLMB-12.000MHZ-LR-T美国进口晶振ASVMPC-10.000MHZ-Z-T晶振ASFLMB-44.000MHZ-LR-T进口Abracon晶振ASVMPC-12.288MHZ-Z-T有源晶振ASFLMB-32.000MHZ-LR-T可编程晶振ASVMPC-14.7456MHZ-Z-T进口晶振ASFLMB-29.4912MHZ-LR-T有源晶体振荡器ASVMPC-20.000MHZ-Z-T欧美晶振ASFLMB-50.000MHZ-LR-TMEMS晶振ASVMPC-24.000MHZ-Z-T贴片有源晶振ASFLMB-6.000MHZ-LR-T可编程振荡器ASVMPC-24.576MHZ-Z-T进口SMD晶振ASFLMB-4.000MHZ-LR-T艾博康晶振ASVMPC-26.000MHZ-Z-TMEMS可编程晶振ASFLMB-18.432MHZ-LR-T晶振ASVMPC-27.000MHZ-Z-T高性能晶振ASFLMB-1.544MHZ-LR-T有源晶振ASFLMPC-12.288MHZ-Z-T美国晶振ASFLMB-16.384MHZ-LR-T进口晶振ASFLMPC-20.000MHZ-Z-T耐高温晶振ASFLMB-7.3728MHZ-LR-T欧美晶振ASFLMPC-24.000MHZ-Z-T高端晶振ASVMPC-27.000MHZ-LR-T贴片有源晶振ASFLMPC-27.000MHZ-Z-T美国进口晶振ASVMPC-24.000MHZ-LR-T进口SMD晶振ASEMPC-14.7456MHZ-Z-T进口Abracon晶振ASVMPC-26.000MHZ-LR-TMEMS可编程晶振ASEMPC-20.000MHZ-Z-T可编程晶振ASVMPC-13.000MHZ-LR-T高性能晶振ASEMPC-26.000MHZ-Z-T有源晶体振荡器ASEMPC-26.000MHZ-LR-T美国晶振ASEMPC-48.000MHZ-Z-TMEMS晶振ASEMPC-25.000MHZ-LR-T耐高温晶振ASEMPC-80.000MHZ-LR-T可编程振荡器ASEMPC-10.000MHZ-LR-T高端晶振ASVMPC-125.000MHZ-LR-T艾博康晶振ASEMPC-24.576MHZ-LR-T美国进口晶振ASFLMPC-125.000MHZ-LR-T晶振ASVMPC-50.000MHZ-LR-T进口Abracon晶振ASFLMPC-150.000MHZ-LR-T有源晶振ASEMPC-50.000MHZ-LR-T可编程晶振ASFLMPLP-156.250MHZ-T进口晶振ASVMPC-25.000MHZ-LR-T有源晶体振荡器ASFLMPLP-156.250MHZ-EC-T欧美晶振ASEMPC-13.000MHZ-LR-TMEMS晶振ASFLMPLP-150.000MHZ-LR-T贴片有源晶振ASEMPC-24.000MHZ-LR-T可编程振荡器ASFLMPLP-125.000MHZ-LR-T进口SMD晶振ASEMPC-20.000MHZ-LR-T艾博康晶振ASFLMPLP-156.250MHZ-LR-TMEMS可编程晶振ASEMPC-60.000MHZ-LR-T晶振.
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