很多人对低失真晶体振荡器这个名字很陌生,因为它不是主流的晶振,使用的次数也不算多,但部分特殊的产品设计需要用到这种石英晶体振荡器,在百度上,低失真晶体振荡器的释义是:一个直流电压由组合一个振荡器信号的N个相位合成.这种石英晶振的好处就是可以抗信号干扰,降低电压,驱动起振速度较快,可用于比较高端的产品身上,以弥补普通石英晶体振荡器达不到的功能.

该晶体振荡器设计用于晶体中耗散小于1mW的基本晶体.石英晶体对信号电流进行滤波,并在电容器上产生约500欧姆电抗的电压.由此产生的正弦波具有低失真和相位噪声.包括JFET缓冲器以驱动较低阻抗负载.建议使用射极跟随器和电压降压变压器或匹配网络进一步缓冲,以驱动50欧姆负载.

C3可以减小以获得更大的输出电压或者允许更低的驱动电平,或者可以在需要更低的输出电平时增加C3.使用泛音晶体时,1k发射极电阻可以用扼流圈代替.选择与C2谐振的扼流圈,其频率略高于三次泛音晶体的基频.高Q泛音晶体应以比基本晶体低得多的水平驱动,因此选择较小的C3值并将输出电平设置得尽可能低.当贴片石英晶振的额定电流或功率已知时测量驱动电平.可以通过临时连接C3上的100欧姆并测量FET的源极上的信号电平来确定驱动电平.晶体电流仅为V/100.

Q1:2N4401,2N3904,2N2222或其他通用NPN晶体管

Q2:2N4416,2N4858,U310或其他低容量N沟道JFET

R1:10k标称值,选择此值以获得所需的输出电平.

R2:470欧姆可节省功率并驱动更轻的负载,100欧姆可驱动更低的阻抗负载.

C1:为100pF(10MHz),220pf(5MHz),1000pF(1MHz).价值并不重要.

C2:为220pF(10MHz),470pF(5MHz),2200pF(1MHz).价值并不重要.

C3:为33pF(10MHz),68pF(5MHz),330pF(1MHz).选择晶体频率为500欧姆电抗的值.

L1:选择以居中进口晶体振荡器频率.可以添加包括变容二极管和微调帽的更复杂的网络.

L2:100uH用于10Mhz,470uH用于5MHz,1mH用于1MHz.选择较大的工作频率值.

以上是对低失真晶体振荡器电路原理图上,各个数值的详细分析,相信对有源晶振设计有些基础的工程,能够完全理解.康华尔电子将近20年来,始终致力于发展石英晶体,石英晶体振荡器事业,为广大客户带来优质的正品,同时提供技术和样品方面的服务,售后流程完善,解决客户的一切后顾之忧,如有任何与石英晶振相关的咨询,欢迎拨打热线:0755-27838351.