IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振
频率:15.476~1300MHz
尺寸:5.0×7.0mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振,IDT晶振集团,成立于1980年公司发展在各地均设有分公司,全球人员大概在2000左右,总部位于加州圣何塞市。IDT晶振集团 提供石英晶体振荡器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可编程晶体振荡器,能满足几乎任何应用的需求. XL 和 XU 晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级. 对于寻求在压控晶体振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClock NG 器件是他们的理想选择.有源晶振,压控晶体振荡器,8N4DV85晶振
项目 |
符号 |
8N4DV85晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
15.476MHz to 1300MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
2.5V to 3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.seikocrystal.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
晶振使用注意事项
<晶体谐振器>
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上。
<晶体振荡器>
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
<晶体滤波器>
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近。
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路。
如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。有源晶振,压控晶体振荡器,8N4DV85晶振
IDT晶振集团环保基本理念:
1.作为良好的企业市民,遵循本公司的行动方针,充分关心维护地球环境.遵守国内外的有关环保法规.
2.保护自然环境,充分关注自然生态等方面的环境保护,维持和保全生物多样性.
3.有效利用石英晶体资源和能源,认识到资源和能源的有限性,努力进行有效利用.
4为构建循环型社会做出贡献,致力于减少晶体振荡器,有源晶振,石英晶振,7050晶振废弃物及废弃物的再利用核再生循环,努力构建循环型社会.
5.在晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器开发和制造过程中使用对环境健康的、可回收利用的材料
6.IDT晶振集团尽可能的采用无害的贴片晶振,压电石英晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用。有源晶振,压控晶体振荡器,8N4DV85晶振
精工富士晶振-康华尔正规渠道指定供应商
服务热线:0755-27838351
手机联系:138-2330-0879
Q Q联系:632862232
邮 箱:konuaer@163.com
地 址:广东深圳市宝安区宝安大道东95号浙商大厦1905
采购:IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振
- *联系人:
- *手机:
- 公司名称:
- 邮箱:
- *采购意向:
- *验证码:
跟此产品相关的产品 / Related Products
- 大河晶振,OSC晶振,FCXO-05/05W晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
- KDS晶振,贴片晶体滤波器,DSF753SAF滤波器
- SAW声表滤波器的性能特点,正适应了现代通信系统设备以及移动通讯轻薄短小化和高频化、数字化、高性能、高可靠性等方面的要求。其不足之处是:所需基片材料价格昂贵,另外对基片的定向、切割、研磨、抛光和制造工艺要求高,受到基片结晶工艺苛刻和制造精度要求严的影响。
- T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振
- T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振,格林雷石英晶振,T1276有源晶振,T1300-T26-3.3-LG-20MHz-E晶振,欧美进口晶振,TCXO晶振,频率38MHz,工作温度-55~95°C,电压3.3V,CMOS输出晶振,抗冲击晶振,耐辐射晶振,高轨道应答器晶振,低轨道卫星(纳米/微型卫星)晶振,射频遥测系统晶振,多波段终端晶振,升频器晶振.
精工晶振
富士晶振
雾化片
石英晶振
石英晶体振荡器
贴片晶振
32.768KHz晶振
欧美进口晶振
- KDS晶振
- 爱普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 西铁城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康纳温菲尔德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 维管晶振
- ECS晶振
- 日蚀晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTime晶振
- IDT晶振
- Statek晶振
- Pletronics晶振
- ACT晶振
- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- 美国Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- 日本纳卡晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- SMI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- NJR晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- SUNNY晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- 瑞萨renesas晶振
谐振器/滤波器
数码电子产品
汽车电子产品
新增进口品牌
温补晶振
差分晶振
恒温晶振
咨询热线
0755-27838351
电话:0755-27838351
手机:138 2330 0879
QQ:632862232
邮箱: konuaer@163.com
地址:广东深圳市宝安区宝安大道东95号浙商大厦1905