百利通亚陶晶振,有源晶振,S1613晶振
频率：1.544~156.25MHz
尺寸：5.0×7.0mm
百利通亚陶晶振,有源晶振,S1613晶振，百利通亚陶科技成立于2000年,为信息与通讯产业关键零组件制造业者.2001年获经济部核发「新兴重要策略性产业」核准函,为政府重点扶植之高科技产业；本公司为国内第一家通过ISO9001国际质量认证之专业石英振荡器厂商.普通有源晶振,7050贴片振荡器,S1613晶振
亚陶累积了多年对石英振荡器,高精密的石英晶体谐振器、普通晶体振荡器（PXO）,有源晶振,压控振荡器的设计、制造经验,迅速赢得市场认同,已陆续接获国内外厂商订单,并持续开发出最先进技术的产品.除自有技术能力外,目前更结合母公司Pericom Semiconductor Corporation 之IC 与 FCP产品技术能力,以开发更高之技术层次之高阶石英晶体振荡器产品.
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项目 |
符号 |
S1613贴片晶振规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1.544 ~156.25MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
2.97V to 3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.seikocrystal.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用百利通亚陶晶振时应注意以下事项：
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选。普通有源晶振,7050贴片振荡器,S1613晶振
PERICOM百利通亚陶晶振环保基本理念：
PERICOM百利通亚陶晶振公司的目标是保证压电石英晶体元器件继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小,在有源晶振,压控晶体振荡器,贴片晶振生产过程中不断节约能源和资源,努力实现环境管理体系与环境行为持续改进.承诺保护环境,重视员工、客户和公众的健康和安全.我们从事任何活动,都要以注重安全和环保方式,并考虑到生态系统的复杂性和相关性.
PERICOM百利通亚陶晶振建立目标指标、监测程序,利用最好的管理手段,应用节约成本的技术,持续改进我们的环境表现.我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化.
实施创新战略,提高有源晶振,贴片晶振自主创新能力,确保公司可持续发展.实施节约战略,提高建设节约环保型企业能力,确保实现节能环保规划目标.普通有源晶振,7050贴片振荡器,S1613晶振
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