T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振
频率:38MHz
尺寸:34.8 mm x 20.2 mm
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振,格林雷石英晶振,T1276有源晶振,T1300-T26-3.3-LG-20MHz-E晶振,欧美进口晶振,TCXO晶振,频率38MHz,工作温度-55~95°C,电压3.3V,CMOS输出晶振,抗冲击晶振,耐辐射晶振,高轨道应答器晶振,低轨道卫星(纳米/微型卫星)晶振,射频遥测系统晶振,多波段终端晶振,升频器晶振.
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振 特点:
•200克拉(Si)总电离剂量
•坚固耐用,密封,耐辐射34.8 mm x 20.2 mm 24-PIN DIP封装
•频率:2.5至120MHz
•宽温度范围-55°C至+125°C
•SEL和SET自由至100 MeV cm2/mg
•超低加速灵敏度< 0.07 ppb/g
•3.3 VDC和5 VDC供电
•CMOS或正弦波输出
•MIL-PRF-55310 B级或S级筛选
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振 参数图
规格参数 | 数值 | 条件 |
频率 | 38MHz | +25°C |
频率稳定度 | ±5ppm | -55°C to +95°C |
工作温度 | -55°C to +95°C |
|
老化 | ± 1ppm max |
1st year
|
频率与电压 | ± 0.1ppm max |
For a 2% change
|
电子频率控制 | ± 10ppm |
EFC = 0 to VDD, Positive slope 50kΩ input Z
|
电压 | 3.3V(VDD) |
|
输入电流 | 35mA |
CMOS |
负载 |
50? |
CMOS
|
相位噪声(静态)10Hz | -90dBc/Hz |
|
相位噪声(静态)100Hz | -120dBc/Hz |
|
相位噪声(静态)1K | -140dBc/Hz |
|
相位噪声(静态)10KHz | -150dBc/Hz |
|
相位噪声(静态)100KHz | -155dBc/Hz |
|
储存温度 | -65°C to+130°C |
|
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振尺寸图
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